场效应晶体管被称作MOS管,主体由一块掺杂了异质原子的单晶硅(黑色部分)和二氧化硅遮蔽层(绿色部分)组成。由于硅的最外层电子为4个,单晶硅部分通常掺杂仅含3个外层电子的硼形成电子空穴或者掺杂含5个最外层电子的磷形成多余电子,通常称这些能够移动后能形成等效电流的空穴或电子为载流子,根据经典的掺杂元素将载流子为空穴的mos管称作NMOS,将载流子为电子的mos管称作PMOS,NMOS和PMOS通常在实际电路中结对出现,这种MOS管结构被称作CMOS,通过遮蔽层的栅极电极对单晶硅施加电压来调节单晶硅中的载流子浓度,从而影响通过单晶硅两端源极和漏极的最大电流,进而达到通过调节栅极电压控制源漏两极最大工作功率的目的